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[圖]突破至384GB 三星V-NAND改變手機(jī)存儲(chǔ)格局

admin

2013年8月7日 20:30 本文熱度 4443

　　現(xiàn)有NAND閃存即將迎來革命性發(fā)展，昨天三星正式宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球首款3D垂直設(shè)計(jì)的NADA閃存"V-NAND"，采用三星特殊設(shè)計(jì)改良的垂直單元機(jī)構(gòu)，能夠最高疊到24層，每層最高容量為128Gb(16GB)，這就意味著未來的智能手機(jī)內(nèi)置存儲(chǔ)有望突破到384GB，這大大改善了現(xiàn)有移動(dòng)手機(jī) 內(nèi)置存儲(chǔ)的容量瓶頸。

　　使用V-NAND具備以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：首先新的芯片在可靠性方面提高了2到10倍，相比較現(xiàn)有10nm制程的閃存內(nèi)存的能夠帶來2倍以上的傳輸性能的提升。而這種多層次的架構(gòu)體系除了能夠帶來性能上的提升之外還能進(jìn)一步減少處理器單元尺寸。

　　這些V-NAND芯片未來有望裝備在消費(fèi)級(jí)別的SSD設(shè)備上，或者在不久的將來嵌入到移動(dòng)終端的內(nèi)置存儲(chǔ)中來。

原文地址：http://iphone.myzaker.com/l.php?l=5201b06b7f52e98a12000683

該文章在 2013/8/7 20:30:20 編輯過

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